期刊文献+

IN SITU OBSERVATION OF THE H-INDUCED DEFECTS IN SILICON SINGLE CRYSTALS

下载PDF
导出
摘要 The hydrogen-induced defeats in FZ silicon grown in hydrogen atmosphere hare been investigated by both the conventional and the in situ white beam synchrotron radiation topography.The formation process of the defects is discussed.
作者 MAI Zhen-hong 麦振洪;W.Graeff(Institute of Physics,Academia Sinica,Beijing;HASYLAB,DESY,Hamburg,F.R.Germany)
机构地区 Institute of Physics
出处 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS 1985年第11期493-496,共4页 中国物理快报(英文版)

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部