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大功率高集成射频接收前端开关模块设计
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摘要
本文采用氮化铝陶瓷基板、PIN二极管芯片,优化传统射频开关结构电路图和版图设计,通过合理的热设计结合电磁仿真,研制出一种新型的宽带大功率高集成单刀双掷开关。在1.9~4GHz频带内发射通道插入损耗小于0.5dB,接收通道隔离度大于43dB,可通过CW功率120W。
作者
陆遥
黄贞松
匡珩
宋艳
机构地区
南京邮电大学
南京国博电子有限公司
出处
《电子世界》
CAS
2021年第13期114-117,共4页
Electronics World
关键词
PIN二极管
版图设计
插入损耗
电磁仿真
高集成
通道隔离度
单刀双掷开关
射频接收前端
分类号
TN9 [电子电信—信息与通信工程]
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