不同溅射条件影响Si基Nb膜微观结构的探究

本文介绍了采用直流磁控溅射方法在单面抛光Si基底上制备Nb薄膜,通过SEM,EDS,XRD的分析,探究了不同溅射功率薄膜的表面形貌和均匀性,以及溅射功率为150W,基底温度分别在200℃、300℃、400℃时薄膜的择优取向。研究结果表明:Nb膜的生长受溅射功率和温度的影响很大,溅射功率过低会引起薄膜表面出现空洞,颗粒较大,随着功率的增加,薄膜的均匀性得到了提高,基片温度对薄膜的晶体生长也有很重要的影响。通过XRD技术对薄膜的择优取向进行了分析,基片温度200oC,300oC时,在(110)方向有明显的择优取向,当基片温度为400oC时,Nb膜存在(110),(211)方向的衍射峰。