专题征稿 光刻技术《激光与光电子学进展》

截稿日期2022年1月31日光刻机是极大规模集成电路制造的核心装备,其分辨率决定了集成电路芯片的集成度。为了追求更高的分辨率,光刻机曝光波长已从436 nm可见光波段减小到193 nm深紫外波段,再到当前最短的13.5 nm极紫外波段。投影物镜的数值孔径则从初期的0.28增大到干式光刻机的0.93,再到浸液式光刻机的1.35。通过组合使用光学邻近效应校正、光源掩模联合优化、多重图形等分辨率增强技术,光刻工艺因子已突破其理论极限0.25。