薄层或单层二硫化钼薄膜的制备及其性能研究

采用化学气相沉积法在蓝宝石基片上沉积MoS_(2)薄膜,通过控制其他反应参数不变,改变钼源用量及基片位置进行实验,探究了钼源用量和基片距离对MoS_(2)薄膜生长的影响。通过光学显微镜、拉曼光谱和原子力显微镜对薄膜进行表征。实验结果表明,减少钼源用量或将基片放置在下游端的位置可有效地减少薄膜的厚度,从而制备出薄层或单层的薄膜。