Cu_(3)Si/Cu掺杂Si/C复合材料及储能性能

Cu_(3) Si/Cu doped Si/C composite and its energy storage performance

以微米硅粉、铜粉、天然石墨及聚丙烯腈为原料,通过机械球磨、低温预氧化和高温碳化等步骤成功地制备了Cu_(3)Si/Cu掺杂Si/C(Si/C@Cu)复合材料。在200 mA/g的电流密度下首次充放电比容量分别达1095 mAh/g和1291 mAh/g,首次库伦效率为84.8%。其中聚丙烯腈热解后的无定型碳层与石墨不仅缓解了硅的体积膨胀,同时提高了材料的导电性;此外,掺杂的Cu颗粒及高温下生成的Cu_(3)Si合金同样起到了结构支撑作用,有效地保持了复合材料的结构完整性。