摘要
南京电子器件研究所自主研发了基于自对准沟道的低导通电阻SiC MOSFET技术,采用6英寸SiC MOSEET工艺平台,研制出1 200V,25mΩ SiC MOSFET大容量芯片,图1(a)为晶圆图片。攻克子多芯片并联均流设计、低寄生参数封装等关键技术,研制出一款新能源汽车用1 200V/600 A SiC功率模块,如图1(b)所示。该款模块由48颗SiC MOSFET芯片封装组成,采用Pin-fin直接水冷结构,三相全桥拓扑结构。
作者
李士颜
牛利刚
陈谷然
刘强
黄润华
柏松
杨勇
LI Shiyan;NIU Ligang;CHEN Guran;LIU Qiang;HUANG Runhua;BAI Song;YANG Yong(State Key Laboratory of Wide-bandgap Semiconductor Power Electronic Devices,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN;Guo Yang Electronics.Co.,Ltd.,Yangzhou,Jiangsu,225100,CHN)
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2021年第4期F0003-F0003,共1页
Research & Progress of SSE
