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低温溅射硫化铜薄膜正极及其储锂性能研究
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摘要
采用射频磁控溅射方法低温制备硫化铜薄膜正极,研究了硫化铜薄膜作为锂离子电池正极的储锂性能。结果表明,硫化铜薄膜正极具有较高的放电面积比容量,在10μA/cm2的电流密度下,第二次放电面积比容量为71.5 uAh/cm2,循环50次后,电极的放电面积比容量仍有37.5μAh/cm2,所以该低温溅射的硫化铜薄膜正极具有集成于集成电路的潜力。
作者
黄智月
张红
王星辉
机构地区
福州大学
出处
《科技与创新》
2021年第19期62-63,65,共3页
Science and Technology & Innovation
关键词
射频磁控溅射
硫化铜薄膜
全固态薄膜锂电池
正极
分类号
TM912.9 [电气工程—电力电子与电力传动]
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