集成电路互连介质阻挡层进展研究

随着集成电路尺寸的不断微缩,后段制程(back-end-of-line,BEOL)中介质层材料及其扩散阻挡层的选择制备与集成是逐渐成为制约超大规模集成电路发展的重要因素之一。用以金属Cu及互连介质层间扩散阻挡作用的阻挡层对材料的电阻特性,兼容性和可靠性方面提出严格的要求。本文主要从解决Ru作为Cu扩散阻挡层性能差这个角度出发,重点介绍了将Ru与TaN结合使用作为扩散阻挡层以及向Ru中添加Ta(N),从而增强Ru作为扩散阻挡层性能这两种方案。在研究Ru/TaN双层和RuTa(N)薄膜作为扩散阻挡层时发现,这两种方案中都有相应的影响因素,以及这些因素对薄膜都产生了影响。