摘要
互补金属氧化物半导体图像传感器以及制备方法 申请号:202110489973.6【摘要】本发明公开了一种互补金属氧化物半导体图像传感器以及制备方法。该互补金属氧化物半导体图像传感器包括第一衬底,第一衬底的第一表面设置有感光区和像素电路区;N个像素单元,像素单元包括光电二极管和像素电路,像素电路位于像素电路区,包括第-栅极结构和悬浮漏极,光电二极管与悬浮漏极电连接;导电互连单元覆盖第一衬底的第一表面,用于将像素单元的电信号引出;第二衬底位于导电互连单元,远离第一衬底一侧的表面;光反射电容单元位于第二衬底的表面,与悬浮漏极电连接。该技术方案提高了图像传感器获取的图像的真实度。
出处
《传感器世界》
2021年第10期44-45,共2页
Sensor World
