第三代半导体产业发展与趋势展望

第三代半导体材料是指氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等带隙宽度明显大于硅(Si,1.1~1.3 V)和砷化镓(GaAs.1.4 V)的宽禁带半导体材料,具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,以宽禁带半导体材料为基础制备的电子器件是支撑下一代移动通信、新能源汽车、高速列车、能源互联网、国防军工等产业自主创新发展和转型升级的关键核心器件,在国家安全(打破战略平衡的战略物资)、国家经济安全(能源、交通、通信)和传统产业转型升级(低碳、智能)方面均起到核心支撑作用。