高CP值光刻胶的旋涂方式研究

生产更小、更高密度的电路需要在12寸(300mm)的晶圆上多展光刻胶叠加涂覆,一些光刻胶CP值较大,旋涂时不易均匀地铺开到整个晶圆表面,造成部分区域光刻胶堆积,使得薄膜工艺得到的结果很差、薄膜厚度的均匀性不好、存在缺陷等,对后续的显影、刻蚀等工艺造成严重影响。因此,文章介绍了2种高CP值光刻胶的旋涂方式,即螺旋状涂覆、环加中心点涂覆的应用方式。