摘要
智能穿戴设备更加智能化、微型化,大量使用数字元件、高频信号,对电磁兼容性能性能要求很高。电磁干扰的三要素中,干扰源无处不在,设备敏感性也客观存在,提高电磁兼容性能可靠的办法就是阻隔耦合路径。针对交变电场及电磁场的高低频特性设计合适的屏蔽技术可有效抑制干扰的发射和接收,正确分析干扰源与负载的阻抗,合理设计,让插入的滤波器插入损耗尽可能大,对干扰源尽可能阻抗失配,最大限度发挥滤波器的干扰抑制效能。
出处
《电子制作》
2021年第24期26-29,共4页
Practical Electronics