不同掺杂比例的IWO导电薄膜特性分析

采用RPD技术进行IWO导电薄膜的制备,研究分析不同WO3掺杂比例对IWO导电薄膜光学特性和电学特性的影响,随着掺杂比例的升高,薄膜缺陷明显增加,分子之间无法完全适配形成共价键,晶格的不完整性加大,薄膜结晶质量变差,同时导致IWO薄膜的方块电阻也随之升高,薄膜的电导率随之降低。在其他工工艺条件恒定条件下。当WO_(3)掺杂比例为1%时,薄膜方块电阻最小为45Ω,电导率为2669.13s/m,导电性能优良,薄膜透光率基本保持在85%以上。