摘要
基于101.6mm(4英寸)0.7μm Inp DHBT工艺,南京电子器件研究所首次研制出26.5 GHz宽带梳谱单片集成电路。与常规雪崩二极管及非线性传输线方案不同,芯片采用有源电路实现,具有对外部输入功率不敏感、输出频谱高平坦度、低相噪等特点,芯片面积约为1.00mm×0.75mm。图1为芯片照片,图2和图3分别为芯片在输入100MHz信号下的频域及时域测试结果。Inp有源梳谱单片可输出脉冲宽度为21ps的极窄脉冲,幅度为500Vpp,在26.5Ghz带宽内的输出平坦度小于12dBc,显示了梳谱单片的性能优势,也体现了InP HBT器件的高频特性。
作者
张有涛
程伟
赵莹莹
ZHANG Youtao;CHENG Wei;ZHAO Yingying(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN;Nanjing Guobo Electronic Company Limited,Nanjing,211100,CHN)
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2021年第6期F0003-F0003,共1页
Research & Progress of SSE
