摘要
在当前数据量爆炸式增长的推动下,整个信息社会步入了以存储和计算为核心的智能化时代。以硅基晶体管器件为基础的传统存储与计算技术由于当前晶体管尺寸微缩受限,而难以满足目前高能效、智能化任务的需求。人们迫切需要去开发一些新原理、新结构的电子器件以及新型的计算架构去实现更先进的存储与计算。具有电致电阻转变效应的阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM),又称忆阻器,由于具有结构简单、功耗低、速度快、易于三维集成和存算一体等特性,被认为是后摩尔时代中实现新型存储与计算的关键器件之一,也是目前国际前沿研究热点。
