丰田合成成功研制出6英寸氮化镓GaN衬底,可降低器件生产成本

IT之家3月17日消息,据businesswire报道,丰田合成ToyodaGosei与大阪大学合作,成功研制出了6英寸的氮化铢GaN衬底。GaN功率器件广泛用于工业机械、汽车、家用电子等领域,随着全球碳中和的目标,GaN功率器件作为减少电力损失的一种手段而被寄予厚望,因此需要更高质量和更大直径的GaN衬底,以实现更高的生产效率(降低成本)。