退火温度对Li掺杂ZnO缺陷及光电性能的影响

采用固相反应法制备同一掺杂比例在不同退火温度下的Li掺杂ZnO。利用XRD、SEM、UV光谱测量,探究了不同退火温度对于Li掺杂ZnO缺陷及光电性能的影响。结果表明:退火温度为600℃时,Li掺杂对ZnO缺陷及光电性能调控效果较为理想。