SiC纳米线有效抑制电子封装中钎料焊点界面IMC层的生长

SiC Nanowires Effectively Inhibit the Growth of IMC Layer at the Interface of Solder Joints in Electronic Packaging

随着电子器件向微型化和高集成化方向发展,如何增强芯片和PCB板间结合界面的性能是亟待解决的问题。在电子器件服役期间,钎料焊点可以在元器件间实现机械连接、电互连和热互连。因此,高性能钎料的研制是电子封装领域的热点问题。江苏师范大学张亮教授团队通过在Sn钎料中添加纳米线提高了焊点的力学性能,抑制了界面金属间化合物(IMC)层的过度生长,更好地适应电子封装高可靠性发展的应用要求。碳化硅纳米线(SiC NWs)具有优异的力学性能、导电性、耐热性、抗氧化性等,可作为陶瓷基、金属基、树脂基的增强材料,在电子器件领域应用广泛。