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事故后高量程辐射监测技术探索 被引量:2

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摘要 事故后高量程辐射监测设备是监测反应堆厂房内事故工况下的γ剂量率水平的重要监测仪器,本文介绍事故工况下安全壳内恶劣环境以及事故后高量程辐射监测的意义,结合事故后高量程辐射监测技术应用现状,重点介绍和探讨电离室型和SiC半导体型探测技术路线以及其可行性、优缺点。
作者 黄瑞铭
出处 《产业与科技论坛》 2022年第11期47-48,共2页 Industrial & Science Tribune
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参考文献2

二级参考文献17

  • 1Dullooa A R,Ruddy F H. The thermal neutron response of miNiature silicon carbide semiconductor detectors[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A:Accelerators,Spectrometers,Detectors and Associated Equipment,2003.415-423.
  • 2Ruddy F H,Dullooa A R. The Fast Neutron Response of Silicon CarbideSemiconductor Radiation Detectors[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A:Accelerators,Spectrometers,Detectors and Associated Equipment,2007.177-179.
  • 3Jang H H,Sang M K. A self-biased neutron detector based on an SiC semiconductor for a harsh environment[J].Appl Radiat Iso,2009.1204-1207.
  • 4Sellin P J,Vaitkus J. New materials for radiation hard semiconductor dectectors[J].Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A:Accelerators,Spectrometers,Detectors and Associated Equipment,2006.479-489.
  • 5丁洪林.核辐射探测器技术[M]哈尔滨:哈尔滨出版社,2010.
  • 6MichaelS,SergeyR,MichaelL,著.杨银堂,贾护军,段宝兴,译.碳化硅半导体材料与器件[M].北京:电子工业出版社,2012.
  • 7邓中翰.2013年中国芯片进口额超2000亿美元,超石油进口[OL].http://www.guanchmcn/Indus-try/2014-03-05-211055.shtml.
  • 8彭同华.浅析碳化硅材料产业发展之路[R].2014宽禁带半导体器件及应用技术产业发展战略研讨会(北京),2014.
  • 9盛况.碳化硅电力电子技术和产业现状报告[R].2014宽禁带半导体器件及应用技术产业发展战略研讨会(北京),2014.
  • 10沈燕,王强,徐化勇,孙茂峰,等.SiC衬底GaN蓝光LED性能分析[c].深圳:第七届中国国际半导体照明论坛,2010.

共引文献6

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