前沿技术 如何选取SiC MOSFET的Vgs门极电压及其影响

在IGBT时代,门极电压的选择比较统一,无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域,还未有约定俗成的门极电压规范。本文愿就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑,提供些有用的参考。下文所述,主要以英飞凌工业1200V SiC MOSFET的M1H系列产品与应用为参考,其他不同电压等级或不同厂家的SiC产品,不尽相同。