美国研究人员开发出导热效率极高的硅纳米线材料

据Phys.org网5月17日消息,美国劳伦斯·伯克利国家实验室(LBNL)的研究人员开发出一种新材料,其导热效率比先进芯片技术中使用的传统材料高150%。研究人员使用化学蚀刻技术,制造了直径仅为90纳米的天然硅和硅-28纳米线,并将每根纳米线悬挂在两个配备铂电极和温度计的微型加热器垫之间,再向电极施加电流以产生热量,测量通过纳米线流向另一个加热器垫的热量。测试结果表明,与天然硅纳米线相比,硅-28纳米线的导热性能提高了150%,未来可用于微芯片制造领域。相关研究成果发表在《物理评论快报》(Physical Review Letters)上。