摘要
GaN器件具有功率大、传输效率高、工作频带宽等一系列有点,在工程技术应用中得到重视。利用GaN场效应管设计了一款工作于超短波频段的功率放大器。采用两级增益放大设计,主要利用ADS射频仿真软件对末级功放芯片CG2H40010F进行了仿真研究。测试结果表明,在工作电压28V,该功放模块在80~110 MHz工作频率下,可实现10 W功率输出,效率优于50%,可广泛应用于宽带射频发射机中。
出处
《电子制作》
2022年第17期41-43,共3页
Practical Electronics
基金
成都航院2021年校级自然应用科研课题“GaN在射频宽带功率放大器中的应用研究”(项目编号06211029)。
