In_(2)S_(3)/g-C_(3)N_(4)光催化复合材料的制备与研究

为解决早期合成出来的g-C_(3)N_(4)材料光生电子空穴对复合速率高、比表面积小和禁带宽度高等问题,该文采用热缩聚合法和取氧刻蚀法制备g-C_(3)N_(4)纳米片,以g-C_(3)N_(4)纳米片作为基底,通过水热法制备不同含量In_(2)S_(3)/g-C_(3)N_(4)复合材料。采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和紫外可见漫反射(UV-vis)等进行形貌、组成以及光催化性能表征。并将罗丹明B作为目标污染物研究g-C_(3)N_(4)及不同含量In_(2)S_(3)/g-C_(3)N_(4)复合材料的降解性能。试验结果表明,纯g-C_(3)N_(4)纳米片对罗丹明B的降解性能明显低于具有5%~7%含量的In_(2)S_(3)/g-C_(3)N_(4)复合材料。最终通过反复试验的得出,7%In_(2)S_(3)/g-C_(3)N_(4)复合材料的光降解性能最佳,其催化活性也有一定提高。