瑞萨电子推出用于电动汽车逆变器的新一代硅基IGBT

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布,推出新一代Si-IGBT(硅基绝缘栅双极晶体管)器件--该产品以更小的尺寸带来更低的功率损耗。针对下一代电动汽车(EVs)逆变器应用,AE5代IGBT产品将于2023年上半年在瑞萨位于日本那珂工厂的200mm和300mm晶圆线上开始批量生产。此外,瑞萨将从2024年上半年开始在其位于日本甲府的新功率半导体器件300mm晶圆厂加大生产,以满足市场对功率半导体产品日益增长的需求。