摘要
磁电阻效应对在电子器件领域有着十分重要的作用。本文主要对MgO磁性隧道结进行了探讨,简单介绍了磁性隧道结的基本概念、MgO磁性隧道结的结构优势,并概述了近年来对MgO磁性隧道结磁电阻的实验研究进展,主要叙述了近年来人们对MgO磁性隧道结隧穿磁电阻(TMR)和各向异性磁电阻(AMR)的实验研究进展以及理论研究进展,特别是Youqi Ke等人对Fe/MgO/Fe磁隧道结中MgO势垒中氧空位(OV)影响隧穿磁电阻(TMR)的理论研究以及L.K.Zou等人对MgO磁性隧道结各向异性磁电阻(AMR)的研究。
出处
《广西物理》
2022年第1期92-95,共4页
Guangxi Physics
基金
广西师范大学教育教学改革项目(2021JGA15)
广西高等教育本科教学改革工程项目(2021JGB147)。
