双金属源可控制备超薄非层状二维金属硫化物材料

Dual-metal precursors for the universal growth of non-layered 2D transition metal chalcogenides with ordered cation vacancies

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摘要随着信息技术的不断进步,信息器件朝着高性能、低功耗的方向发展,其中信息材料的特征尺寸也在不断缩小.当传统体相半导体材料的厚度减薄至几纳米量级时,材料表面的悬挂键和缺陷会导致其电学性能大幅下降,进而难以满足器件持续缩小和高度集成的需求.因此,寻求新的低维量子材料并实现变革性器件应用已成为当前材料和信息器件的研究前沿之一.

作者彭海琳 Hailin Peng(College of Chemistry and Molecular Engineering,Peking University,Beijing 100871,China)

机构地区北京大学化学与分子工程学院

出处《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第27期3250-3251,共2页 Chinese Science Bulletin

关键词信息技术半导体材料金属硫化物信息器件变革性悬挂键器件应用特征尺寸

分类号 TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]

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