摘要
稳定可控的晶体生长界面,对体块单晶的品质和性能有决定性作用。但遗憾的是,大尺寸人工晶体生长技术发展繁衍近百年,生长界面始终是“盲区”,其复杂的热质输运、温度脉动、对流起伏等现象隐匿在高温熔体中,致使生长工艺存在过度的经验依赖和盲目性。由于缺乏针对界面失稳、缺陷增殖、组分过冷和回熔等现象的反馈控制技术,在晶体研究与生产方面存在一系列共性问题,如界面演化机理不明、材料品质性能良莠不齐、工艺研发艰巨漫长甚至无法重复等,严重限制了晶体材料在大功率激光器、集成半导体、高性能光学器件等重大课题中的应用。如能操纵高温、运动、时变的界面状态,则有望解读、预判,乃至控制上述破坏性现象,在单晶生长工艺过程与性能退化机理的关联性研究中取得突破。该项技术是涉及晶体、冶金、流体、机械等多学科的难题,具有显著的科研意义和工业价值。
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第9期1754-1754,共1页
Journal of Synthetic Crystals