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4英寸低位错InSb单晶研制 被引量:1

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摘要 锑化铟(InSb)是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,在3~5μm波段具有很高的量子效率,采用Czochralski直拉法技术完成大直径锑化铟晶体生长,获得了位错密度较低且沿晶体分布较均匀的4英寸InSb晶体。InSb晶片位错密度小于80 cm^(-2),77 K的霍尔测量表明载流子浓度和迁移率分布均匀,锑化铟晶片适用于新一代高性能超大规模阵列焦平面探测器。
出处 《云光技术》 2022年第2期9-11,共3页
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