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雪崩三极管的雪崩击穿导通特性研究

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摘要 雪崩三极管是较为理想的高压窄脉冲信号源半导体元器件,研究其雪崩击穿导通特性将有助于设计与优化基于雪崩三极管的脉冲产生电路。本文通过搭建雪崩三极管击穿工作电路,测试雪崩三极管在基极大注入触发的二次击穿导通模式,以及集电极—发射极和集电极—基极高压引起的雪崩击穿导通模式下的器件导通特性,并提取其开关导通参数,研究了开关导通特性,分析了雪崩三极管高压窄脉冲信号产生电路的性能,改进完善了电路设计。
出处 《通讯世界》 2022年第7期19-22,共4页 Telecom World
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