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Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究

Study on heat loss of SiC and IGBT modules in boost converter
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摘要 针对Boost变换器中SiC(碳化硅)与IGBT模块热损耗问题,给出了Boost电路中功率模块热损耗的估算方法,并提供了具体的估算公式。以30 kW DC/DC变换器为研究对象,对功率模块在不同工作频率下的损耗进行了理论计算、PLECS仿真和试验验证对比分析。PLECS仿真和试验验证的结果不仅证明了估算公式的正确性,还直观的体现了SiC和IGBT两类模块在不同开关频率下工作的热损耗趋势。从文中可以看出,使用SiC替代IGBT可以显著地提高变换器的工作频率和功率密度。
出处 《电子产品世界》 2023年第1期77-81,共5页 Electronic Engineering & Product World
基金 湖南省教育厅科学研究优秀青年项目(20B393)。
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