基于3D堆叠的多芯片封装技术

随着现代芯片的功能越来越复杂,导致芯片的尺寸也越来越大,在集成芯片的制造中也凸显了许多成本问题,导致制造成本和设计成本越来越高昂。为了解决这些问题,本文通过芯片模块化的设计方法,把整个芯片的功能块分离成许多小型模块,做成具有高良率、低成本特点的芯粒,3D堆叠CMOS将PMOS器件置于NMOS器件之上,其占用空间与单个Ribbon FET相同。NMOS和PMOS栅极使用不同的金属。利用3D堆叠的潜在优势意味着解决许多工艺集成挑战,其中一些挑战将扩展CMOS制造的极限。本文相信这种3D堆叠的互补金属氧化物半导体(CMOS)或CFET(互补场效应晶体管)将是将摩尔定律延伸到下一个十年的关键。