硅中掺杂磷工艺的探讨

半导体器件的N型掺杂源主要有磷、砷、锑,而磷由于其原子半径与硅更相近,故在半导体器件制备过程中,通过磷的掺杂而实现半导体N型掺杂起着主导作用。磷的掺杂工艺又分为离子注入掺杂、磷纸源扩散及携带三氯氧磷蒸汽进行扩散这三种方式。而携带三氯氧磷蒸汽进行扩散方式成本低、效率高,使其在N型掺杂过程中,存在较广泛的应用。为了得到较好的扩散效果,需对三氯氧磷扩散过程中各个因素进行分析,了解其扩散特性,从而得到较优的工艺条件。