摘要
基于第3代氧化物半导体材料设计了一种金属-绝缘体-半导体(MIS)结构器件制备与表征的综合性实验。通过金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在C面蓝宝石衬底上合成了ZnO/ZnMgO多量子阱/ZnO结构,采用磁控溅射法分别在300、400和500℃下沉积厚度为50 nm的MgO绝缘层。采用紫外曝光、电感耦合等离子体(ICP)刻蚀和电子束蒸发工艺制备了MIS结构器件,器件具有良好的整流特性。
A comprehensive experiment for synthesis and characterization of MIS structure devices was designed based on the third-generation oxide semiconductor.The ZnO/ZnMgO multipile quantum well(MQW)/ZnO structure was grown on C-plane sapphire substrate by MOCVD.50 nm thick MgO insulator layers were deposited by magnetron sputtering method under 300,400 and 500℃,respectively.The MIS structure devices were prepared by combined ultraviolet exposure,ICP etching and E-beam evaporation.The devices exhibit good rectification behavior.
作者
咸冯林
徐林华
郑改革
赵立龙
裴世鑫
XIAN Fenglin;XU Linhua;ZHENG Gaige;ZHAO Lilong;PEI Shixin(School of Physics and Optoelectronic Engineering,Nanjing University of Information Science and Technology,Nanjing 210044,China)
出处
《实验室研究与探索》
CAS
北大核心
2022年第12期19-22,33,共5页
Research and Exploration In Laboratory
基金
国家自然科学基金面上项目(62075097)
教育部高等学校大学物理课程教学指导委员会2019年高等学校教学研究项目(DJZW201922hd)
江苏省高等教育教改研究课题(2019JSJG549)。
