硅沟槽肖特基探测器制备及其电学性能测试

本文制作了硅沟槽型肖特基探测器,沟槽型结构相比于平面型不仅增大了中子转换层的接触面积同时还能够减少自吸收问题。在工艺上,本文通过湿法刻蚀工艺,刻蚀出的沟槽垂直且刻蚀侧面光滑。对探测器进行电学性能测试,测得在电压-20V时,其漏电流为0.2μA,在电压-30V时,其电容值为2.48pF。