氮化铝粉体制备国内专利技术分析

技术概述氮化铝(AlN)具有高的热导率(理论可达320 W/(m·K)),其热膨胀系数较低(3.5×10^(-6)K^(-1))且能与Si材料相匹配,同时还具有高温绝缘性以及介电性能好的特点,因此,是电子封装和散热基板用的理想材料。AlN基板作为新能源汽车IGBT模块的关键承载体,同时也作为高频5G组件重要的低损耗、高导热的散热板,其市场价值不断提高。随着5G通信技术的发展,通信设备朝着小型化、集成化发展,对器件的散热提出了更高的要求。