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基于低电压SRAM的单元结构优化研究进展 被引量：1

Study on Progress on Subthreshold Static Random Access Memory Cell Optimization
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摘要 阐述低电压技术的应用背景,综述国内外研究现状,针对低电压技术下SRAM单元结构优化面临的问题进行分析,并探讨了相应的解决策略,认为其在图像处理、语音识别、存内计算等领域具有广阔的发展空间。 This paper expounds the application background of subthreshold circuit techniques.The development status of SRAM is reviewed.The issues of SRAM cell optimization are analyzed and solutions are discussed.It is believed that SRAM has a strong application background in image processing,voice recognition and computing in-memory.
作者 黄渝斐 林彬 许泽鸿 王素彬 HUANG Yufei;LIN Bin;XU Zehong;WANG Subin(School of Optoelectronic and Communication Engineering,Xiamen University of Technology Fujian 361021,China)
机构地区 厦门理工学院光电与通信工程学院
出处 《集成电路应用》 2023年第3期1-3,共3页 Application of IC
基金 2019年度福建省中青年教师教育科研项目(JAT190676) 厦门理工学院2021年教育教学改革研究项目(JG2021042)。
关键词 电路设计 低电压 SRAM单元 静态噪声容限 circuit design low voltage SRAM unit static noise tolerance
分类号 TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献11

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共引文献1

同被引文献7

引证文献1

集成电路应用
2023年 第3期

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