前沿技术 SiC MOSFET的短沟道效应

Si IGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异,Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET这篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。直接翻译不免晦涩难懂,不如加入自己的理解,重新梳理一遍,希望能给大家带来更多有价值的信息。今天我们着重看下第一部分——短沟道效应。