一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法

专利申请号:2022113995563公布号:CN115740452A申请日:2022.11.09公开日:2023.03.07申请人:有研亿金新材料(山东)有限公司;有研亿金新材料有限公司本发明属于磁控溅射靶材制造技术领域,公开了一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法。以纯度大于5 N的W粉为原料,先通过真空热压烧结的方式获得相对密度为80%~90%的预成型钨靶坯。然后通过多道次小变形热轧的方式在预成型钨靶坯表面0.5~2.0 mm厚度的范围内形成相对密度为95%~99%的致密化表层,心部密度及组织状态仍保持不变。