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一种基于FPGA的彩色图像自适应形态学实现方法

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摘要 传统形态学处理算法受制于结构元素单一等问题,处理效果并不理想,往往会忽略原图重要的特征信息,而且基于软件平台的形态学处理算法在处理速度上较为缓慢。针对上述问题,提出了一种基于现场可编程逻辑门阵列(fi eld programmable gate array,FPGA)的彩色图像自适应形态学实现方法。首先在软件平台上实现了彩色图像自适应形态学算法和传统形态学处理算法,经过对比分析后得出结论为彩色图像自适应形态学算法对图像的处理效果更好,然后在FPGA上设计实现了彩色图像自适应形态学处理系统,该系统按照以面积换速度的形式进行FPGA结构设计,其中包括了控制模块、结构元素生成模块、形态学运算模块、整合输出模块等。试验结果表明,本文提出的方法不但可以极大提升彩色图像的形态学处理的准确率,而且保留了原图重要的特征信息,与此同时,基于FPGA实现该算法后,在保证处理效果的前提下极大地提升了处理效率,为图像处理的实际应用提供了有效的支撑。
作者 李金山 李晓蕊 闫强 LI Jinshan;LI Xiaorui;YAN Qiang
出处 《信息技术与信息化》 2023年第3期116-119,共4页 Information Technology and Informatization
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参考文献2

二级参考文献106

  • 1Slimane-Kadi M, Brasen D, and Saucier G. A fast-FPGA prototyping system that uses inexpensive high-performance FPIC. Proc. 2nd Annual Workshop on FPGAs, Berkeley, 1994: 147-156.
  • 2Chinnery D and Keutzer K. Closing the Gap Between ASIC and Custom Tools and Techniques for High-Performance ASIC Design. Netherland: Kluwer Academic Publishers, 2002 157-158.
  • 3Altera Corporation. Hardcopy series handbook, http://www. altera.com.cn/literature/hb/hrd/hc_handbook.pdf, 2008, 9.
  • 4Kuon I and Rose J. Measuring the gap between FPGAs and ASICs. IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 2007, 26(2): 203-215.
  • 5Hamdy E and McCollum J, et al.. Dielectric based antifuse for logic and memory IC. International Electron Devices Meeting Technical Digest, San Francisco, 1988: 786-789.
  • 6Birkner J and Chan A, et al.. A very-high-speed field-programmable gate array using metalto-metal antifuse programmable elements. Microelectronics Yournal, 1992, 23(7): 561-568.
  • 7Birkner J and Chua H T. Programmable array logic circuit. U.S.Patent, 4124899, 1978.
  • 8Brown S and Rose J. FPGA and CPLD architectures. A tutorial. IEEE Design and Test of Computers, 1996, 12(2): 42-57.
  • 9Frohman-Dentchkowsky D. A fully-decoded 2048-bit electrically programmable MOS ROM. IEEE International Solid State Circuits Conference Digest of Technical Papers, Philadelphia, 1971: 80-81.
  • 10Guterman D C and Rimawi L H, et al.. An electrically alterable nonvolatile memory cell using a floating-gate structure. IEEE Transactions on Electron Devices, 1997, 26(4): 576-586.

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