上海硅酸盐所在浮区法生长Ce∶GGAG闪烁晶体方面取得系列进展

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摘要近期,中国科学院上海硅酸盐研究所副研究员石云等人开展了低Ga含量Ce∶GGAG(Ga/Al比为2/3)的光浮区法(optical floating zone method,OFZ)晶体生长和闪烁性能研究。与传统的提拉法(CZ)法和微下拉法(m-PD)法相比,光浮区法在晶体生长过程不需要坩埚,几乎不会在生长过程中引入杂质,可生长高熔点的晶体。

作者无

机构地区中国科学院上海硅酸盐研究所

出处《稀土》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期109-109,共1页 Chinese Rare Earths

关键词浮区法晶体生长闪烁性能闪烁晶体提拉法高熔点

分类号 O78 [理学—晶体学]

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