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氮化铁基高效自旋注入源的精控合成及界面调控机制研究

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摘要 研制高自旋极化率的磁性材料用于自旋电子器件已经成为自旋电子学应用领域的研究热点.理论上,半金属的自旋极化率为100%,是理想的自旋注入源,但现有的半金属材料大多是亚稳相,存在结构不稳定、有晶格畸变以及表面重构等问题导致自旋极化率的降低,不利于应用.
出处 《中国科技成果》 2023年第9期14-15,共2页 China Science and Technology Achievements
基金 国家自然科学基金地区基金“氮化铁基高效自旋注入源的精控合成及界面调控机制研究”(51761001)项目的支持。
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