摘要
随着电子信息技术进入后摩尔时代,人们期望探寻一些新材料、新技术以推进半导体科学技术的进一步发展.作为新一代战略电子材料,宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、功率高、载流子迁移率高、饱和电子速度快、耐高温高压等优异特性,吸引了越来越多的关注.宽禁带半导体材料研究持续推进着LED照明产业的不断发展,从Mini-LED到Micro-LED,持续影响半导体照明产业,而且在大功率激光器、紫外杀菌/探测领域发挥着重要的作用.
作者
李京波
夏建白
Jingbo Li;Jianbai Xia(College of Optical Science and Engineering,Zhejiang University,Hangzhou 310027,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第14期1725-1726,共2页
Chinese Science Bulletin
