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能华推出TO252封装增强型GaN器件
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摘要
增强型GaN器件由于其优异的高频开关特性使得产品具有更高的能效和功率密度,从而减小充电器的体积和重量,在消费类的PD快充已经取得了广泛应用。目前的增强型GaN器件主要是采用各类DFN封装形式,由于DFN贴片封装具有较低的寄生参数,其非常适合GaN器件工作在较高的开速度和开关频率。
出处
《变频器世界》
2023年第5期28-28,共1页
The World of Inverters
关键词
高频开关
寄生参数
封装
充电器
功率密度
开关频率
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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