氧化镓材料的研究进展及发展趋势

氧化镓被称之为下一代半导体材料,相比碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代半导体材料,其拥有4.8eV的超大带隙,有望成为高压、大功率、低损耗功率器件和深紫外光电子器件的优选材料。文章主要介绍了氧化镓的性能特点及应用,阐述了氧化镓的产业现状,汇总氧化镓的研究进展,并展望了氧化镓材料未来的发展趋势。