纳微半导体SiC产品再获订单,预计全年营收翻倍!

近期,纳微半导体宣布,该公司的GeneSiC碳化硅功率半导体器件已经被用于埃克塞德科技集团(Exide Technologies)的下一代高频快速充电桩。该高频充电桩将220伏交流电转换为24至80伏的直流电,为搭载了铅酸电池和锂电池的工业车辆充电。本次埃克塞德科技的高频快速充电桩采用的是纳微半导体的GeneSiC“沟槽辅助平面栅极”的碳化硅MOSFET技术,其兼具平面和沟槽的优势,具备高效、高速的性能。相比其他碳化硅产品,运行时的最高温度低25℃,寿命延长3倍之多。已公布的100%耐雪崩测试中其耐受能力最高、短路耐受时间延长30%、并且稳定的门极阅值电压便于并联控制。