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原子层沉积系统
Atomic Layer Deposition System TALD-D/PEALD
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摘要
主要技术与性能指标,极限真空:15 Pa,非均匀性:氧化铝≤±1%,沉积材料:氧化物、氮化物、单质等,气路:最大6路液态前驱体源,主要应用,微电子器件、光伏、催化等领域的薄膜沉积,代表性应用成果。主要用户单位,清华大学、北京大学、中国科学院半导体研究所、国家纳米科学中心。
出处
《中国科学院院刊》
CSSCI
CSCD
北大核心
2023年第S01期42-42,共1页
Bulletin of Chinese Academy of Sciences
关键词
微电子器件
极限真空
原子层沉积
薄膜沉积
应用成果
中国科学院半导体研究所
非均匀性
氮化物
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
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