碳化硅晶体生长炉

Silicon Carbide Crystal Growth Furnace TDL85P

主要技术与性能指标,碳化硅晶体直径:≥6英寸,生长腔体真空度极限真空:优于5.0×10^(−5) Pa,生长腔体保压12 h后真空度:≤5 Pa,生长腔压力控制范围:100-90000 Pa,最高加热温度:≥2600℃,共6路特气(包括Ar、N_(2)、H_(2)3种气体),主要应用,半导体、LED、国防、航空航天、石油勘探、光存储等领域。