微电子所在半导体器件物理领域获进展

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摘要半导体器件存在缺陷态等无序因素,其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂,准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是领域内的难点和重点。低温下半导体器件所广泛表现出的非线性伏安(I-V)特性的具体物理原因是备受关注的话题之一。

出处《高科技与产业化》 2023年第5期47-47,共1页 High-Technology & Commercialization

关键词半导体器件载流子输运缺陷态物理原因微电子所电学特性难点和重点

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高科技与产业化

2023年第5期

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