摘要
阐述RC IGBT是新一代的IGBT结构,可以将快速恢复二极管同时集成在IGBT芯片中。探讨P型引导区方案,结合对N集电区注入面积和剂量的优化,可以有效改善RC IGBT的通态压降折回问题。
This paper analyses that RC IGBT is novel generation and integrates with FRD,and disposes P type pilot area experiment and succeed to get improvement snapback result.
作者
杨继业
潘嘉
YANG Jiye;PAN Jia(Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation,Shanghai 201203,China)
出处
《集成电路应用》
2023年第6期4-5,共2页
Application of IC
